As empresas chinesas Huawei e Xiaomi estão trabalhando no desenvolvimento de um novo formato de memória RAM voltado para smartphones, de acordo com o informante Fixed Focus Digital. Denominada Low Latency Wide DRAM (LLW), essa inovação tem como objetivo solucionar o principal gargalo encontrado nos módulos de RAM convencionais: a latência dos dados transmitidos ao sistema para processar inteligência artificial no próprio aparelho.
Grande parte do desenvolvimento da LLW se inspira nos conceitos das potentes memórias High Bandwidth Memory (HBM). Esse tipo de chip alcança velocidades impressionantes e, por esse motivo, é utilizado em data centers. O segredo por trás disso está no empilhamento vertical dos chips em 3D ao lado do processador, com os dados sendo enviados por uma ponte de alta largura que se conecta à CPU.
A proposta do LLW consiste em tomar o mesmo conceito do HBM e ajustá-lo ao universo dos smartphones. A intenção é ampliar os canais de comunicação e posicionar a memória mais próxima do processador, preservando um design de integração direta que diminui os problemas de superaquecimento.
O grande diferencial da Low Latency Wide é que ela não empregará uma única linha de comunicação com o processador. Assim como o HBM, o trunfo dessa nova tecnologia é usar diversas vias menores para transmitir os dados de forma mais equilibrada, resultando em um processo bastante ágil.
Por que alterar o padrão de RAM?
Em meio a uma escassez de componentes, pode parecer contraditório tentar criar um novo tipo de memória para smartphones. Contudo, o desenvolvimento da LLW está diretamente conectado ao universo da inteligência artificial: possibilitar que os celulares executem modelos de IA de forma nativa, ou seja, com pouca ou nenhuma dependência da nuvem.
O grande desafio é que os desenvolvedores não conseguem simplesmente copiar as memórias HBM para os celulares. A razão para isso é o espaço interno limitado desses aparelhos, bastante diferente dos servidores de IA, que dispõem de bastante área para abrigar grande quantidade de memória ao redor do processador.
Outro empecilho nessa história são as trocas de calor. Apesar de ser extremamente rápido, o HBM demanda técnicas de resfriamento mais sofisticadas, que seriam inviáveis de reproduzir em smartphones. Por essa razão, a LLW não utilizará o empilhamento vertical, apenas o mesmo conceito na transmissão de dados.
O fator que leva a indústria a ver essa nova RAM com otimismo é a redução da latência. Na prática, isso significa que essa memória é capaz de enviar e receber dados do processador em menos tempo e com maior volume. Em suma, é muito mais desempenho para o sistema gerenciar tarefas complexas.
De acordo com Fixed Focus, a LLW pode diminuir o consumo de energia em até 50% e oferecer um desempenho 1,5 vezes maior – supostamente em comparação com o LPDDR5X. O lançamento dessa tecnologia ainda parece estar distante, com mais detalhes previstos para a segunda metade de 2027.
Ainda sobre memórias, estima-se que a indústria de DRAM tenha faturado mais de R$ 500 bilhões no primeiro trimestre deste ano, uma receita recorde.
